Pat
J-GLOBAL ID:200903021818888603

多結晶シリコン粒子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大島 正孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994208244
Publication number (International publication number):1996048512
Application date: Aug. 10, 1994
Publication date: Feb. 20, 1996
Summary:
【要約】【目的】 粒状多結晶シリコン製造の各工程において、不純物の混入を低減させ、高純度の粒状多結晶シリコンを得る。【構成】 粒子の表面から内部に向って鉄元素の濃度分布が存在し、そして鉄元素の濃度分布において粒子内部に極大値が存在し、該極大値が粒子の表面から順にシリコンを3.3×10-5gずつエッチングしたときの鉄元素濃度で10ppbaより小さく、且つ粒子全体の鉄元素濃度が3ppba以下である多結晶シリコン粒子。シリコンを破砕した後、王水-水-弗酸でこの順に洗浄エッチングして高純度の破砕シリコン粒子を得、これを核としてシラン類の熱分解または還元によりその周囲に新たなシリコンを析出させることによって製造する。
Claim (excerpt):
粒子の表面から内部に向って鉄元素の濃度分布が存在し、粒子内部に鉄元素濃度の極大値が存在し、該鉄元素濃度の極大値は粒子の表面からシリコンを3.3×10-5gずつエッチングしたときの値で10ppbaより小さく、且つ粒子全体の鉄元素濃度が3ppba以下であることを特徴とする多結晶シリコン粒子。
IPC (2):
C01B 33/02 ,  C01B 33/029

Return to Previous Page