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J-GLOBAL ID：200903021820684330

半導体装置の製造方法

Inventor： 奥住 哲也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 熊谷 雄太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992202714
Publication number (International publication number)：1994053158
Application date： Jul. 29, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造時に使用するフォトマスクを減らすことにより、製造コストの低減を計る。【構成】 半導体装置のある任意箇所へ不純物を注入する場合に用いられるフォトマスクのパターン形状が、その不純物が注入される面積より小さな面積のパターンの集合で形成されていること及びそのフォトマスクを1回以上用いて半導体装置の任意箇所へ不純物を注入する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の任意箇所へ不純物を注入する場合に用いられるフォトマスクのパターン形状において、不純物注入を行うある箇所のフォトマスクパターンの形状がその不純物注入がされる面積より小さな面積のパターンの集合で形成されて、そのフォトマスクを1回以上用いて半導体装置の任意箇所へ不純物注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/266 ,  H01L 21/22