半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007233289
Publication number (International publication number)：2009065057
Application date： Sep. 07, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：

【課題】有機・カーボンナノチューブ表示装置において、オフ動作時の漏れ電流を抑制しつつ、画素エリア・バス配線幅の縮小を抑制する。【解決手段】本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ1がn型またはp型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ2がカーボンナノチューブ1とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接している第1のカーボンナノチューブがn型またはp型にドーピングされて、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接触している第2のカーボンナノチューブが、第1のカーボンナノチューブとは相補的にドーピングされていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08 , H01L 29/06 , H01L 21/28

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L27/08 321B , H01L27/08 331E , H01L29/78 618F , H01L29/06 601N , H01L27/08 321E , H01L21/28 301B

F-Term (75)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F048AA07 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC15 , 5F048BF07 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HM12 , 5F110NN04 , 5F110NN27 , 5F110NN33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

カーボンナノチューブの溶液処理ドーピング方法、半導体装置および半導体装置の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-055790 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
歩行ナビゲーションシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-324070 Applicant：大成建設株式会社, 三菱電機株式会社, 三菱電機インフォメーションシステムズ株式会社
カーボンナノチューブFET
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-141177 Applicant：国立大学法人名古屋大学

Cited by examiner (7)

電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-030307 Applicant：東レ株式会社
ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-001422 Applicant：日本電気株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-315627 Applicant：日本電気株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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