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J-GLOBAL ID：200903021828761555

半導体装置の製造方法

Inventor： 貝塚 健志 ,  神力 博
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995081194
Publication number (International publication number)：1996279558
Application date： Apr. 06, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 バリア性が良好で配線の高信頼性を併せ持つチタンナイトライド膜を、アルミニウムの融点以下の温度で成膜し、しかも塩素濃度を低くできる方法を提供する。【構成】 CVD 法によってチタンナイトライド膜を所望の膜厚となるように堆積した後、水素、窒素およびアンモニアの少なくも1種のガスを含む雰囲気中でプラズマ照射処理を行ってこれらガスのラジカルを生成させ、このラジカルによってチタンナイトライド膜中に残留する塩素の濃度を低減させる。このチタンナイトライド膜の堆積とプラズマ処理とを繰り返して所望の膜厚のチタンナイトライド膜を得ることもできる。

Claim (excerpt)：

チタンナイトライド膜を含む金属配線を有する半導体装置を製造するに当たり、前記チタンナイトライド膜を所望の膜厚となるまで化学気相成長法によって堆積する成膜工程と、続いて水素、窒素、アンモニアの内の少なくとも1つを含む雰囲気中において生成されるラジカルで処理してチタンナイトライド膜中に残留する塩素濃度を低減させる後処理工程とを具えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044578   Applicant：川崎製鉄株式会社, 東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154054   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の配線層形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-245940   Applicant：三星電子株式会社