半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤宣幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260449
Publication number (International publication number)：1996123717
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】データ線やクロック信号線等が共有されているいずれのメモリモジュールのアクセスしても、十分なセットアップタイムやホールドタイムを確保できる高速動作可能な半導体記憶装置を実現する。【構成】各半導体メモリモジュール21、...、2nに対応したアクセスタイミング情報3Aaを予め格納しておき、このタイミング情報に基づいて、アクセス対象の半導体メモリモジュールに応じて、転送先側でのデータ取り込みタイミングを可変させたり、及び又は、クロック幅を変化させたりする。

Claim (excerpt)：

複数の半導体メモリモジュールが、共通のクロック信号線及び共通の1又は2以上の他の信号線を介して、そのアクセス手段に接続されている半導体記憶装置において、上記アクセス手段に、上記各半導体メモリモジュールに対応したアクセスタイミング情報を予め格納しているタイミング情報格納部と、このタイミング情報格納部に格納されているタイミング情報に基づいて、アクセス対象の上記半導体メモリモジュールに応じて、転送先側でのデータ取り込みタイミングを可変させるタイミング可変手段とを設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

G06F 12/00 564 , G06F 1/06 , G06F 12/06 522 , G06F 13/42 350

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

同期型バス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-069630 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭63-081556
特開昭54-028535

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