Pat

J-GLOBAL ID：200903021841921146

炭化ケイ素発光ダイオード素子

Inventor： 古賀 和幸 ,  八木 克己
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993096042
Publication number (International publication number)：1994310753
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型SiC側からの発光強度が大きいSiC発光ダイオード素子を提供することを目的とする。【構成】 6H形のn型SiC単結晶基板1と、このn型SiC単結晶基板1上に形成された6H形のn型SiC層2と、このn型SiC層2上に形成された6H形のp型SiC層3と、p型SiC層3上に形成された6H形のp型SiC層4を備え、このp型SiC層3、4のドーパントがAlである。

Claim (excerpt)：

第1結晶形のn型SiC基板と、該n型SiC基板上に形成された第1結晶形のn型SiC層と、該n型SiC層上に形成された第1結晶形のp型SiC層と、からなる炭化ケイ素発光ダイオード素子において、前記第1結晶形のp型SiC層上に該第1結晶形のp型SiC層に比べて禁制帯幅が広く且つ不純物の活性化率が大きい高キャリア濃度の第2結晶形のp型SiC層を設けたことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。