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J-GLOBAL ID:200903021844842514

光素子の実装構造体およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡田 和秀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000059921
Publication number (International publication number):2001250889
Application date: Mar. 06, 2000
Publication date: Sep. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】 光素子半導体チップを回路基板上へフリップチップ実装する際に、封止樹脂による影響を防止する。【解決手段】 受光領域2を有する光素子半導体チップ4を、前記受光領域2に相対する領域に開口部5が形成された回路基板6にフリップチップ実装してなる光素子の実装構造体において、回路基板6の開口部5の周囲に、光素子半導体チップ4と記回路基板6との間に注入される封止樹脂10を堰き止めるダム部11を設けている。
Claim (excerpt):
受光領域および接続端子が同一面側に形成されている光素子半導体チップを、前記受光領域に相対する領域に開口部が形成された回路基板にフリップチップ実装してなる光素子の実装構造体であって、前記光素子半導体チップの前記受光領域の周囲および前記回路基板の前記開口部の周囲の少なくとも一方には、前記光素子半導体チップと前記回路基板との間に注入される封止樹脂を堰き止めるダム部を設けたことを特徴とする光素子の実装構造体。
IPC (6):
H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02 ,  H04N 5/335
FI (8):
H01L 23/28 C ,  H01L 23/28 D ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/56 J ,  H01L 21/60 311 S ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 B
F-Term (33):
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109BA05 ,  4M109CA06 ,  4M109DA06 ,  4M109DB07 ,  4M109DB08 ,  4M109DB12 ,  4M109EA02 ,  4M109GA01 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118GA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA31 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5F044KK01 ,  5F044LL07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA06 ,  5F061CA26 ,  5F061FA01 ,  5F088BA10 ,  5F088BA13 ,  5F088JA01 ,  5F088JA06 ,  5F088JA20

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