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J-GLOBAL ID：200903021851732481

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
下村 健二

About 下村 健二


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002029417
Publication number (International publication number)：2003234511
Application date： Feb. 06, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：
【要約】【課題】 発光色の色ムラや輝度の低下を改善した半導体発光素子およびその製造方法を得る。【解決手段】 カップ体1には、逆円錐状にテーパをなしてカップ部が形成され、発光チップをボンディングしたワイヤの領域近傍まで充填された第1の光透過性樹脂層3が形成され、この第1の光透過性樹脂層の上に、光の波長変換作用をなす蛍光体が混和された第2の光透過性樹脂層4が積層して形成されている。第2の光透過性樹脂層は4、カップ体の開放縁周囲に略凸レンズ状に盛り上がって形成され、その表面近傍には、蛍光体が集まって層状をなしている。また、反転したマガジンの状態で蛍光体の混ざった樹脂は硬化の工程に入るが、蛍光体と樹脂には比重差があり、蛍光体の方が重いことから蛍光体は沈降して下向きに凸状、すなわち凸レンズ状を呈して硬化する。
Claim (excerpt)：
フレームと、このフレーム上にマウントされワイヤボンディングされる発光チップと、前記フレームにマウントされた前記発光チップを囲繞して収容するカップ体と、このカップ体中に、前記発光チップを囲繞するように充填される第1の光透過性樹脂層と、この第1の光透過性樹脂層上に積層して形成された第2の光透過性樹脂とを備え、この第2の光透過性樹脂は、その表面が凸レンズ状に湾曲形成され、前記表面近傍に光の波長変換作用を有する蛍光体層を含むことを特徴とする半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 M
F-Term (16)：
5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041AA41 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA32 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58 ,  5F041DA77 ,  5F041DC22 ,  5F041EE11 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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