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J-GLOBAL ID：200903021863440613
結晶成長評価方法及び装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000114302
Publication number (International publication number)：2001297983
Application date： Apr. 14, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体材料等の対象物をレーザアニーリングして結晶を成長させる際の条件設定を容易にすること。【解決手段】 レーザビームの中心位置、分布、及びエネルギ密度、並びにレーザビームを多重照射する際の重複率を含む基本パラメータのみならず、中心位置、及びエネルギ密度を含むゆらぎ成分に基づいてシリコン膜に関する熱伝導方程式を解いて、対象物中における結晶の成長を統計的に計算する。シリコン膜中における多結晶の生成過程をより精密に反映した結晶成長の評価が可能になる。よって、Si膜をポリシリコン化する際のプロセス設計を時間的・コスト的に効率化することができ、得られるポリシリコン膜の形成の高品質化や最適化を図ることができる。さらに、レーザアニーリング装置の設計の時間的、コスト的効率化やレーザアニーリング装置の高性能化を図ることができる。
Claim (excerpt)：
対象物へのレーザビームの多重照射に関する基本パラメータを入力する第1工程と、前記基本パラメータのうち所定パラメータについてゆらぎ成分を設定する第2工程と、前記基本パラメータ及び前記ゆらぎ成分に基づいて前記対象物に関する熱伝導方程式を解いて、前記対象物中における結晶の成長を統計的に計算する第3工程とを備える結晶成長評価方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/20
, H01L 21/268 T
5F052AA02
, 5F052BA01
, 5F052CA04
, 5F052CA10
