Pat

J-GLOBAL ID：200903021863622967

固体撮像素子

Inventor： 井出 岳志 ,  寺川 博
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016964
Publication number (International publication number)：1993218381
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 過大光量入射時における飽和信号以上の信号電荷量の増加を抑えるようにして、受光部から垂直レジスタに信号電荷を読み出した際の垂直レジスタにおけるオーバーフローを防止する。【構成】 N型シリコン基板1上の第1のP型ウェル領域2内にN型の受光部3と垂直レジスタ4並びにP型のチャネル・ストッパ領域5が形成され、ウェル領域2上にゲート絶縁膜8を介して転送電極9が選択的に形成され、更にこの転送電極9上に層間絶縁膜10を介してAl遮光膜11が形成され、ウェル領域2とチャネル・ストッパ領域5が接地されたCCD固体撮像素子において、チャネル・ストッパ領域5とウェル領域2との間に、不純物濃度がチャネル・ストッパ領域5より低く、ウェル領域2よりも高いP型の不純物拡散領域14を形成して構成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板に形成された第2導電型のウェル領域と、該ウェル領域に形成された第1導電型の光電変換領域と、該光電変換領域の横方向に読出しゲートを間に挟んで形成された第1導電型の転送領域とを有し、当該光電変換領域と隣接する他の絵素の転送領域とが第2導電型のチャネル・ストッパ領域により分離され、上記ウェル領域と上記チャネル・ストッパ領域とが接地された固体撮像素子において、上記チャネル・ストッパ領域と上記ウェル領域との間に、不純物濃度が上記チャネル・ストッパ領域より低く、上記ウェル領域よりも高い第2導電型の不純物拡散領域が形成されていることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/148 ,  G01J 1/02 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A