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J-GLOBAL ID：200903021869841261

パターン形成方法

Inventor：
遠藤 政孝

About 遠藤 政孝

, 
笹子 勝

About 笹子 勝


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001334253
Publication number (International publication number)：2003140342
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜に照射する極紫外線又は電子線の露光エネルギーの低減を図る。【解決手段】 フェノールポリマーと、アクリルポリマーと、酸発生剤としてのオニウム塩とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に対して極紫外線12を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン13を形成する。
Claim (excerpt)：
フェノールポリマーと、アクリルポリマーと、酸発生剤としてのオニウム塩とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対して、1nm帯〜30nm帯の波長を有する極紫外線、又は電子線を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (2)：
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (13)：
2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • ポジ型レジスト組成物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-336369   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 感放射線性樹脂組成物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-122919   Applicant：ジェイエスアール株式会社
  • パターン形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-078895   Applicant：松下電器産業株式会社
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