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J-GLOBAL ID：200903021878773767

MOS型固体撮像装置及びその駆動方法

Inventor： 山下 浩史 ,  松長 誠之 ,  佐々木 道夫 ,  馬渕 圭司 ,  宮川 良平 ,  飯田 義典
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996247872
Publication number (International publication number)：1998098175
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流による雑音によって発生する再生画面の画質の劣化を防止することができるMOS型固体撮像装置を提供する。【解決手段】 本発明は、半導体基板上に複数の単位セルが形成されたMOS型固体撮像装置において、単位セルは、半導体基板上の一部に形成され、光を電荷に変換する第1の導電型の光電変換領域34と、光電変換領域にて変換された電荷を蓄積し、且つ半導体基板上の一部に形成された第1の導電型の電荷検出領域33と、光電変換領域と電荷検出領域との表面の少なくとも一部に形成され、半導体基板の界面を空乏化させない濃度の第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2導電型領域81とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に複数の単位セルが形成されたMOS型固体撮像装置において、前記単位セルは、前記半導体基板上の一部に形成され、光を電荷に変換する第1の導電型の光電変換領域と、前記光電変換領域の表面の少なくとも一部に形成され、前記半導体基板の界面を空乏化させない濃度の前記第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2導電型領域とを具備したことを特徴とするMOS型固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-061573
  
• 特開昭3-027683
  
• 特開平4-332166