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J-GLOBAL ID：200903021879358682
マスクパターンの補正方法およびその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017436
Publication number (International publication number)：1999218899
Application date： Jan. 29, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 マスクパターンを補正した場合をシミュレーションする際の設計者の負担を軽減できるマスクパターン補正方法を提供する。【解決手段】 マスクパターンのパターンサイズを拡大あるいは縮小する比率を示すマスクバイアスパラメータを含むパラメータと、設計パターンとを入力し(S11)、前記入力された設計パターンを前記マスクバイアスパラメータに示される比率で拡大あるいは縮小するマスクバイアス処理を行い(S13)、ステップS18で生成されたマスクパターンを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージのシミュレーションを行い(S19)、評価結果に基づいて、マスクパターンを補正する(S21)。
Claim (excerpt)：
光リソグラフィー工程で使用するフォトマスクのマスクパターンを、設計パターンに近い転写イメージが得られるように補正するマスクパターンの補正方法において、マスクパターンのパターンサイズを拡大あるいは縮小する比率を示すマスクバイアスパラメータを含むパラメータと、設計パターンとを入力し、前記入力された設計パターンを前記マスクバイアスパラメータに示される比率で拡大あるいは縮小するマスクバイアス処理を行い、前記マスクバイアス処理が行われた設計パターンのパターン外周に沿って複数の評価点を付加し、前記評価点が付加された設計パターンからマスクパターンを生成し、前記生成されたマスクパターンを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージのシミュレーションを行い、前記シミュレーションされた転写イメージと前記設計パターンとの差を、前記複数の評価点毎に評価し、前記評価の結果に基づいて、前記生成されたマスクパターンを補正するマスクパターンの補正方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 502 P
