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J-GLOBAL ID：200903021882037633

圧力スイッチ素子および圧力スイッチ

Inventor： ショーン サミュエル ケーヒル ,  根田 徳大
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社
Agent (1)： 沼形 義彰 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995165554
Publication number (International publication number)：1996083547
Application date： Jun. 30, 1995
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 複雑な付属の電子回路を使用することなく、簡単な構成でチャタリングを防止する機能をもつダイアフラム型半導体圧力スイッチ素子およびこの素子を用いる圧力スイッチを提供する。【構成】 中央にダイアフラム部5を有する半導体層3と、外部との貫通口7を有する基板2が積層され、前記半導体層3のダイアフラム部5と基板2との間にガス空間6が形成された圧力スイッチ素子1において、ダイアフラム部5の下面に設けた絶縁層4と、該絶縁層4に設けた第1のスイッチ電極9と、基板2上に設けた固定電極である第2のスイッチ電極10とを具備した。

Claim (excerpt)：

中央にダイアフラム部を有する半導体層と、外部との貫通口を有する基板が積層され、前記半導体層のダイアフラム部と基板との間にガス空間が形成された圧力スイッチ素子において、ダイアフラム部の下面に設けた絶縁層と、該絶縁層に設けた第1のスイッチ電極と、基板上に設けた固定電極と第2のスイッチ電極とを有することを特徴とする圧力スイッチ素子。