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J-GLOBAL ID：200903021894754659

容量素子およびその製造方法

Inventor： 松田 明浩 ,  長野 能久 ,  那須 徹 ,  有田 浩二 ,  上本 康裕
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999110756
Publication number (International publication number)：1999330391
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 容量絶縁膜の表面を平坦化することにより優れた電気特性と高い信頼性を備えた容量素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 支持基板1と、前記支持基板1上に形成された第1の電極2と、前記第1の電極2上に形成され、強誘電体または高誘電体で構成された第1の絶縁膜5と、前記第1の絶縁膜5上に形成され、前記第1の絶縁膜5と同一の材料で構成された第2の絶縁膜8と、前記第2の絶縁膜8上に形成された第2の電極4とを有し、前記第2の絶縁膜8を構成する絶縁体の結晶粒の平均粒径が、前記第1の絶縁膜5を構成する絶縁体の結晶粒の平均粒径よりも小さいことを特徴とする容量素子。

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成され、強誘電体または高誘電体で構成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の絶縁膜と同一の材料で構成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の電極とを有し、前記第2の絶縁膜を構成する絶縁体の結晶粒の平均粒径が、前記第1の絶縁膜を構成する絶縁体の結晶粒の平均粒径よりも小さいことを特徴とする容量素子。

IPC (5)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 強誘電体薄膜被覆基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-168119   Applicant：シャープ株式会社