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J-GLOBAL ID：200903021898963341

半導体加速度センサの製造方法

Inventor： 西村 仁 ,  滝沢 功
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294245
Publication number (International publication number)：1994151887
Application date： Nov. 02, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エッチング条件の管理が容易であり、ダイヤフラム又は梁部等の薄肉部を所望の形状に且つ均一の厚さに形成できる半導体加速度センサの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体加速度センサの材料として、結晶方位が(100)のSi結晶からなる支持基板1と、結晶方位が(110)のSi結晶からなる素子形成層3と、この両者の間に設けられたSiO2 層2とを有するSOIウェハを使用する。素子形成層3の表面に感歪抵抗等の素子を形成し、支持基板1の下面に所望のパターンのマスクを形成した後、異方性エッチングを施して溝4を形成する。これにより、マスクパターン通りの形状の薄肉部を得ることができる。この場合に、SiO2 層2がストッパ層として作用するため、薄肉部の厚さが均一になる。

Claim (excerpt)：

結晶構造が(100)のSi結晶からなる支持基板の表面にSiO2 層を形成する工程と、このSiO2 層上に結晶構造が(110)のSi結晶からなる素子形成層を形成する工程と、前記支持基板を選択的に異方性エッチングして薄肉部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12