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J-GLOBAL ID：200903021900947626

半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  寺本 聡 ,  小山 潤 ,  尾形 靖 ,  早川 昌彦 ,  納 光明
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023190
Publication number (International publication number)：1997266171
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用した結晶性珪素膜中の金属元素の濃度を減少させる。【構成】 非晶質珪素膜103に対してニッケル元素を導入した後、結晶化のための第1の加熱処理を行う。そしてレーザー光の照射を行い、局所的に集中しゅて存在しているニッケル元素を拡散させる。この後、先の加熱処理よりも高い温度で酸化性雰囲気中での加熱処理を行う。この時、雰囲気中にHCl等を添加する。この工程において熱酸化膜106が形成される。この際、熱酸化膜106中にニッケル元素のゲッタリングが行なわれる。次に熱酸化膜106を除去する。こうすることで、低い金属元素の濃度で高い結晶性を有する結晶性珪素膜107を得ることができる。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を意図的に導入し第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜に対してレーザー光または強光の照射を行う工程と、ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中で第2の加熱処理を行い前記結晶性珪素膜中に存在する当該金属元素を除去または減少させる工程と、前記工程で形成された熱酸化膜を除去する工程と、前記熱酸化膜を除去した領域の表面上に再度の熱酸化により熱酸化膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 G