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J-GLOBAL ID：200903021905620862

表面処理装置およびこれを用いた表面処理方法

Inventor： 青山 生人
Applicant, Patent owner： 株式会社小松製作所
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996149288
Publication number (International publication number)：1997330909
Application date： Jun. 11, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高度の真空排気能力を必要とすることなく、高速で信頼性の高い表面処理を実現する。 コンパクトかつ低コストであって信頼性の高い表面処理をおこなうことのできる表面処理装置を提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、処理室内に設けられた被処理基体の表面に反応性ガスを噴射することにより前記被処理基体の表面処理を行う表面処理装置において、前記処理室内を所望の圧力に真空排気する真空排気手段と、ガス導入部と、ガス噴射部とを有し、前記ガス噴射部から、前記処理室内に反応性ガスを噴射するようにガス流路を形成するノズルと、前記ノズルの前記ガス導入部に、所望のデューティ比を有するパルスとして、前記反応性ガスを間欠的に供給するパルスガス供給手段と、前記被処理基体の表面に沿って高圧の清浄化用ガスを噴射することにより前記被処理基体表面の残留ガスを除去する清浄化手段とを具備し、前記洗浄化ガス供給手段は、前記パルスガス供給手段のパルスのタイミングに応じて間欠的に駆動せしめられることにある。

Claim (excerpt)：

処理室内に設けられた被処理基体の表面に反応性ガスを噴射することにより前記被処理基体の表面処理を行う表面処理装置において、前記処理室内を所望の圧力に真空排気する真空排気手段と、ガス導入部と、ガス噴射部とを有し、前記ガス噴射部から、前記処理室内に反応性ガスを噴射するようにガス流路を形成するノズルと、前記ノズルの前記ガス導入部に、所望のデューティ比を有するパルスとして、前記反応性ガスを間欠的に供給するパルスガス供給手段と、 前記被処理基体の表面に沿って清浄化用ガスを噴射して、前記被処理基体表面の残留ガスを除去する清浄化手段とを具備し、前記清浄化手段は、前記パルスガス供給手段のパルスのタイミングに応じて間欠的に駆動せしめられることを特徴とする表面処理装置

IPC (8)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205

FI (8)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/88 M