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J-GLOBAL ID：200903021922888232

CMOS半導体装置

Inventor： 金子 守
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330575
Publication number (International publication number)：1997172091
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 P型あるいはN型ウエハ基板にかかわらず、使用できるキャパシタを有するCMOS半導体装置を提供する。【解決手段】 ウエハ基板上のP型ウエル2及びN型ウエル3上の素子形成領域上に形成されたキャパシタ4、5と、P型ウエル2内の周辺部を囲むように形成されたP+ 型拡散層12Aと、P+ 型拡散層12Aを囲むようにP型ウエルの外側に形成されたN+ 型拡散層13Aと、N型ウエル内の周辺部を囲むように形成されたN+ 型拡散層13Bと、N+ 型拡散層13Bを囲むようにN型ウエルの外側に形成されたP+ 型拡散層12Bと、隣り合ったP+ 型拡散層12A、12BとN+ 型拡散層13A、13Bを跨ぐ形で接続された金属配線16とを有する。

Claim (excerpt)：

ウエハ基板上に形成された一導電型及び逆導電型ウエル上の素子形成領域上に形成されたキャパシタと、前記一導電型ウエル内の周辺部を囲むように形成された一導電型拡散層と、前記一導電型拡散層を囲むように前記一導電型ウエルの外側に形成された逆導電型拡散層と、前記逆導電型ウエル内の周辺部を囲むように形成された逆導電型拡散層と、前記逆導電型拡散層を囲むように前記逆導電型ウエルの外側に形成された一導電型拡散層と、前記隣り合った一導電型拡散層及び逆導電型拡散層を跨ぐ形で接続された金属配線とから成ることを特徴とするCMOS半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 F