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J-GLOBAL ID：200903021923338155

酸化ケイ素系被膜形成用塗布液

Inventor： 坂本 好謙 ,  萩原 嘉男 ,  田中 初幸 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993244052
Publication number (International publication number)：1995097548
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】HSi(OR1)a(OR2)b(OR3)c (1)(R1、R2、R3は、C1〜4のアルキル基又はフェニル基、a、b及びcは、0≦a≦3、0≦b≦3、0≦c≦3、かつa+b+c=3)の化合物、及びSi(OR4)d(OR5)e(OR6)f(OR7)g (2)(R4、R5、R6、R7は、C1〜4のアルキル基又はフェニル基、d、e、f及びgは、0≦d≦4、0≦e≦4、0≦f≦4、0≦g≦4、かつd+e+f+g=4)の化合物を有機溶剤に溶かし、酸触媒の存在下に加水分解して得た溶液から成る酸化ケイ素系被膜形成用塗布液。【効果】 厚膜でもクラックが発生せず、かつ密着性、均質性、緻密性、保存安定性及び絶縁性に優れ、半導体素子や液晶表示素子などにおける層間絶縁膜、平坦化膜、保護膜の形成や多層レジスト法用積層材、LSI用のマスク上に形成する位相シフタ材として有用。

Claim (excerpt)：

(A)一般式HSi(OR1)a(OR2)b(OR3)c(式中のR1、R2及びR3は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、a、b及びcは、0≦a≦3、0≦b≦3、0≦c≦3であって、かつa+b+c=3の条件を満たす整数である)で表わされる少なくとも1種の化合物、及び(B)一般式Si(OR4)d(OR5)e(OR6)f(OR7)g(式中のR4、R5、R6及びR7は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、d、e、f及びgは、0≦d≦4、0≦e≦4、0≦f≦4、0≦g≦4であって、かつd+e+f+g=4の条件を満たす整数である)で表わされる少なくとも1種の化合物を有機溶剤に溶かし、酸触媒の存在下に加水分解して得た溶液から成る酸化ケイ素系被膜形成用塗布液。

IPC (2)：

C09D183/05 PMS ,  C08G 77/18 NUB