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J-GLOBAL ID:200903021925563555
電界電子放出材料を製造する方法および前記材料から成る電界電子エミッタ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
門間 正一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001508471
Publication number (International publication number):2003504802
Application date: Jun. 30, 2000
Publication date: Feb. 04, 2003
Summary:
【要約】本願発明は電界電子放出材料を製造する方法および前記材料から成る電界電子エミッタに関するものであり、本願発明による電界電子放出材料は、シリカ前駆物質をグラファイト粒子(11)に加え、シリカ前駆物質を処理してドープ処理された、及び/又は大きな欠陥のあるアモルファス・シリカ(12)を製造し、そして、アモルファス・シリカ(12)で少なくとも部分的に被覆されるように基板(13)の導電性表面(14)上にグラファイト粒子(11)を配置することによって製造されるものである。
Claim (excerpt):
電界電子放出材料を製造する方法であって、前記方法が、 a.)シリカ前駆物質をグラファイト粒子に加える工程と、 b.)前記シリカ前駆物質を処理してドープ処理及び/又は大きな欠陥のあるア モルファス・シリカを製造する工程と、 c.)基体の導電性表面に前記グラファイト粒子を堆積させ、これらのグラファ イト粒子が少なくとも部分的に前記アモルファス・シリカで被覆されるように する工程と、を包含することを特徴とする方法。
IPC (4):
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 29/04
, H01J 31/12
FI (4):
H01J 9/02 B
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
F-Term (8):
5C031DD17
, 5C031DD19
, 5C036EE01
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG12
, 5C036EH11
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