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J-GLOBAL ID：200903021932315826

半導体装置

Inventor： 鈴島 浩 ,  山本 秀男 ,  中山 高志 ,  西村 芳郎
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 最上 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991356759
Publication number (International publication number)：1993183072
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラスチック封止を行った半導体装置において、耐湿性を向上させる。【構成】 絶縁基板11にICチップ2をダイボンドで接着し、ボンディングワイヤ3で接続を行ったのち、ICチップ2の周囲,ボンディングワイヤ部分及びその接続部分等、耐湿性向上のために必要な部分に、常温液状ガラスを塗布,硬化させてガラス層4を形成し、透明又は着色したエポキシ系樹脂等の封止樹脂12をICチップ2及びボンディングワイヤ3を覆うように塗布し、プラスチック封止の半導体装置を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体素子又は半導体素子と周辺回路素子とを基体に接続しプラスチックで封止した半導体装置において、半導体素子又は半導体素子と周辺回路素子の少なくとも接続部分に直接、常温液状ガラスを塗布又は浸漬して形成したガラス層を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56

FI (2)：

H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 G