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J-GLOBAL ID：200903021932396249

プラズマ処理装置

Inventor： 吉田 和由
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993294657
Publication number (International publication number)：1995130497
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 簡便な磁界制御手段で、均一な高密度プラズマを生成し、均一なエッチングレートを実現し、さらにチャージアップダメージを低減するプラズマ処理装置を提供すること。【構成】 プラズマ処理装置を、反応容器内に対向配置された一対の電極を有しかつその電極間に高周波電界を発生させる高周波電界発生機構と、前記容器の外側でかつ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電界と空間的に重ならないような磁界を発生させるように配置された磁界発生用コイルからなる磁界発生機構とで構成した。

Claim (excerpt)：

反応容器内に対向配置された一対の電極を有し、該電極間に高周波電界を発生させる高周波電界発生機構と、前記反応容器の外側でかつ前記高周波電界発生機構により発生される高周波電界と空間的に重ならないような磁界を発生させるように配置磁界発生機構とを備えたプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092511   Applicant：東京エレクトロン株式会社