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J-GLOBAL ID：200903021936259378

含浸型陰極基体、その製造方法および陰極構体

Inventor： 宇田 英一郎 ,  松本 貞雄 ,  須藤 孝 ,  原 昭人 ,  小山 生代美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999014453
Publication number (International publication number)：2000215785
Application date： Jan. 22, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、低電圧、低周波数であるデューティの低い動作条件では勿論、高電圧、高周波数であるデューティが高い領域でも低温動作効果が減少せず充分な耐イオン衝撃性を発揮できる陰極基体およびこの陰極基体を備えた陰極構体を得ることを課題とする。【解決手段】本発明の陰極基体1は、高融点金属の焼結体からなる基体金属21、31と、この基体金属に含浸された電子放射物質22、32とを備え、前記基体金属にはその表面から凹入する多数の溝23(凹部)、孔33(凹部)が並んで形成され、これら凹部は電子放射方向に沿う側面と電子放射方向に対して交差する方向に沿う底面とを有することを特徴とし、凹部では、前記電子放射方向に沿う側面の面積が前記電子放射方向に対して交差する方向に沿う底面の面積より大きい設定する。

Claim (excerpt)：

高融点金属の焼結体からなる基体金属と、この基体金属に含浸された電子放射物質とを備え、前記基体金属にはその表面から凹入する多数の凹部が並んで形成され、これら凹部は電子放射方向に沿う側面と電子放射方向に対して交差する方向に沿う底面とを有するものであることを特徴とする含浸型陰極基体。

IPC (3)：

H01J 1/28 ,  H01J 9/04 ,  H01J 29/04

FI (3)：

H01J 1/28 A ,  H01J 9/04 J ,  H01J 29/04

F-Term (3)：

5C027CC01 ,  5C027CC11 ,  5C031DD10