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J-GLOBAL ID：200903021941045203

半導体装置

Inventor： 村上 克也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996064115
Publication number (International publication number)：1997260522
Application date： Mar. 21, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 集積回路などを搭載する外囲器やボードなどの電源ノイズを防止する点。【解決手段】 入出力電源間に40mmの帯域フィルタ8を配置することにより、ノイズの主成分の周波数だけを遮断してノイズの伝搬を防止する。集積回路の性能にもよるが、一般的なノイズの周波数成分は50M〜500MHzが多く、この帯域をカットする帯域フィルタは絶縁物例えばセラミック表面で40〜500mmの長さが必要である。現在の外囲器bでは、メッキを行う型例えばPGAなどでは、分岐線の長さが20mm以下が殆どであり、これでは1GHz以上にしか効果がなくノイズフィルタとして機能しない。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載する外囲器及びボード用電源に40mm以上の帯域フィルタを取付けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/00 ,  H05K 9/00

FI (3)：

H01L 23/00 C ,  H05K 9/00 Q ,  H05K 9/00 K