Pat
J-GLOBAL ID：200903021945232857
炭素膜の製造方法及び被処理膜
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998155461
Publication number (International publication number)：1999349305
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 孔の発生等による物理的欠陥が無く、組成の均質な炭素膜を、高配向性炭素材料の前駆体の熱処理によって得る。【解決手段】 窒素及びホウ素を含有している炭素膜を得るにあたり、この炭素膜の前駆体がポリイミドからなり、ホウ素を含む官能基が前記ポリイミドの骨格構造に導入されており、前記前駆体を熱処理によって炭素化する。
Claim (excerpt)：
窒素及びホウ素を含有している炭素膜を得るにあたり、前記炭素膜の前駆体がポリイミドからなり、前記ホウ素を含む官能基が前記ポリイミドの骨格構造に導入されており、前記前駆体を熱処理によって炭素化することを特徴とする、炭素膜の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
