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J-GLOBAL ID：200903021949104314

多層配線構造の形成方法

Inventor： 糟谷 行男
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068617
Publication number (International publication number)：1994283864
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 樹脂で構成された層間絶縁膜の比誘電率を多層配線構造を形成する際に制御できる方法を提供する。【構成】 ポリイミド樹脂にナフトキノンジアジド化合物33を混入させたものの膜35を、基板31上に形成する。この試料を250〜400°Cの温度で加熱してポリイミド樹脂の層35を硬化させる。【効果】 ポリイミド樹脂の膜35を硬化させるための熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が分解し窒素ガスを発するのでこれによりポリイミド樹脂の膜35は発泡する。この結果、空隙37aを有する層間絶縁膜37が得られる。ナフトキノンジアジド化合物33の添加量を制御することで空隙37aの数を制御して層間絶縁膜37の比誘電率を制御する。

Claim (excerpt)：

樹脂で構成された層間絶縁膜を有する多層配線構造を形成するに当たり、層間絶縁膜の形成を以下の(a)〜(c)の工程を含む工程により行うことを特徴とする多層配線構造の形成方法。(a)層間絶縁膜を形成するための樹脂中に、該樹脂を硬化させるために後に該樹脂に印加されるエネルギの作用により分解する発泡剤を、混入する工程。(b)該発泡剤を混入させた樹脂の膜を層間絶縁膜を形成するための下地上に形成する工程。(c)該樹脂の膜が形成された下地に前記エネルギを加え該樹脂の膜を硬化させると共に該硬化膜中に前記発泡剤に起因した空隙を形成する工程。

IPC (4)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03

FI (2)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 Q