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J-GLOBAL ID：200903021952450223

火炎センサ及びその製造方法

Inventor： 平野 光 ,  シリル ペルノー ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999101215
Publication number (International publication number)：2000294823
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 暗電流を一層低減できる火炎センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 異なる導電型を有する複数の半導体層が厚さ方向に並べられて配置されて、光に対する感度を有する受光部PRを備え、前記複数の半導体層に亘って通電されるように一対の電極8a,8bが形成されている火炎センサにおいて、前記複数の半導体層が、Iny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成され、前記複数の半導体層のうちの一つの半導体層が、他の半導体層の境界から層内方側に亘り、且つ、厚さ方向視で前記他の半導体層の外縁よりも内方側に位置する領域に導電型を異ならせるための不純物を分布させて形成されている。又は、その火炎センサの製造方法において、前記不純物をイオン注入法あるいは熱拡散法により分布させる。

Claim (excerpt)：

異なる導電型を有する複数の半導体層が厚さ方向に並べられて配置されて、光に対する感度を有する受光部を備え、前記複数の半導体層に亘って通電されるように一対の電極が形成されている火炎センサであって、前記複数の半導体層が、Iny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成され、前記複数の半導体層のうちの一つの半導体層が、他の半導体層の境界から層内方側に亘り、且つ、厚さ方向視で前記他の半導体層の外縁よりも内方側に位置する領域に導電型を異ならせるための不純物を分布させて形成されている火炎センサ。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/42 ,  H01L 27/14

FI (3)：

H01L 31/10 A ,  G01J 1/42 C ,  H01L 27/14 K

F-Term (23)：

2G065BA02 ,  2G065BA09 ,  2G065CA12 ,  2G065DA06 ,  2G065DA20 ,  4M118AA05 ,  4M118AB10 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB10 ,  5F049PA04 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049QA04 ,  5F049SE09 ,  5F049SS01