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J-GLOBAL ID：200903021966537976

フォトダイオードの製造方法

Inventor： 中田 文夫 ,  福田 勝義
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996071798
Publication number (International publication number)：1997260717
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流(暗電流)の少ないpn接合を形成し高感度なHgCdTeを用いたフォトダイオードを提供すること。【解決手段】 HgCdTeを用いたフォトダイオードの製造に際し、第一の保護膜13および第二の保護膜17を形成、熱処理、さらに保護膜13、17を含めHgCdTe12の表面をエッチング除去することによりダイオードのリーク電流を少なくする。

Claim (excerpt)：

p型HgCdTe層を有する基板の上に第一の保護膜を形成する工程と、前記第一の保護膜上から前記基板に対し選択的にイオン注入する工程と、前記第一の保護膜上に第二の保護膜を形成する工程と、前記第二の保護膜が形成された前記基板を熱処理する工程と、前記第一、第二の保護膜およびイオン注入された前記基板の表面部分を除去する工程と、表面部分が除去された前記基板上に第三の保護膜を選択的に形成する工程と、前記基板上に電極金属を選択的に形成する工程とを含むことを特徴とするフォトダイオードの製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/0264

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/08 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-004628
  
• 特開平2-260467
  
• 特開平2-139975