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J-GLOBAL ID：200903021969249424

光ファイバ及びその製造方法

Inventor： 齊藤 和也 ,  生嶋 明 ,  ジャブリ カレッド ,  永山 勝也 ,  浦野 章 ,  大賀 裕一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  学校法人トヨタ学園
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001123269
Publication number (International publication number)：2002321936
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 コア領域にフッ素が添加されているとともに、光の伝送損失が充分に低減された光ファイバ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 平均比屈折率差がΔn<SB>1</SB>のコア領域100と、Δn<SB>2</SB>(Δn<SB>2</SB><Δn<SB>1</SB>)のクラッド領域200とを備える光ファイバにおいて、コア領域100に条件Δn<SB>1</SB><-0.3%を満たすようにフッ素を添加する。そして、光ファイバの製造において、線引された光ファイバに対して、線引炉の後段に設けられた熱処理炉を用い、800°C〜1500°Cの温度で0.05秒〜1秒間の時間とした条件で熱処理を行う。このとき、コア領域100に対する高濃度でのフッ素の添加により、熱処理によるガラスの構造緩和が促進され、充分に伝送損失が低減された光ファイバを効率的に作製することが可能となる。

Claim (excerpt)：

純SiO<SB>2</SB>での屈折率を基準として%で表して定義された比屈折率差について、領域内での平均比屈折率差Δn<SB>1</SB>が条件Δn<SB>1</SB><-0.3%を満たすようにフッ素が添加されたコア領域と、前記コア領域の外周に設けられたクラッド領域とを有する光ファイバ母材を形成する母材形成工程と、前記光ファイバ母材を線引炉で加熱線引して光ファイバとする線引工程とを備え、前記線引工程において、加熱線引された前記光ファイバに対して前記線引炉の後段に熱処理炉を設け、前記熱処理炉によって、前記光ファイバを800°C〜1500°Cの範囲内の温度で0.05秒〜1秒間熱処理しつつ線引を行うことを特徴とする光ファイバの製造方法。

IPC (3)：

C03B 37/027 ,  C03B 37/018 ,  G02B 6/00 356

FI (3)：

C03B 37/027 A ,  C03B 37/018 ,  G02B 6/00 356 A

F-Term (4)：

4G021EB19 ,  4G021EB26 ,  4G021HA02 ,  4G021HA05