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J-GLOBAL ID：200903021969842869

集積回路装置およびアモルファスシリコンカーバイド抵抗器材料を用いる方法

Inventor： ベーツ,チャールズ,ピー. ,  クス,クスエピン ,  ブランデス,ジョージ,アール. ,  ラマニ,スワヤムブ ,  ベッサー,ロナルド,エス.
Applicant, Patent owner： アドバンスド テクノロジィ マテリアルズ,インコーポレイテッド ,  キャンドセント テクノロジーズ コーポレイション
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997523011
Publication number (International publication number)：2000502492
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Feb. 29, 2000
Summary：

【要約】電界放出構造7を包含する集積回路10が抵抗器要素4を有しており、該抵抗器要素がアモルファスSi<SB>x</SB>C<SB>1-x</SB>からなり、ここに0<x<1であり、かつSi<SB>x</SB>C<SB>1-x</SB>が水素、ハロゲン類、窒素、酸素、硫黄、セレニウム、遷移金属類、硼素、アルミニウム、燐、ガリウム、砒素、リチウム、ベリリウム、ナトリウムおよびマグネシウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類の不純物を含む。

Claim (excerpt)：

アモルファスSi<SB>x</SB>C<SB>1-x</SB>からなる抵抗器要素を有する電界放出装置であって、ここに0<x<1であり、前記Si<SB>x</SB>C<SB>1-x</SB>が水素、ハロゲン類、窒素、酸素、硫黄、セレニウム、遷移金属類、硼素、アルミニウム、燐、ガリウム、砒素、リチウム、ベリリウム、ナトリウムおよびマグネシウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類の不純物を含む、電界放出装置。

IPC (9)：

H01J 1/304 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/10 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (8)：

H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/10 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01L 27/04 P