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J-GLOBAL ID：200903021984403766
スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
東海 裕作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994085972
Publication number (International publication number)：1995224374
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】均一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得るITO膜を提供する。【構成】Snドープ量をInに対して0.05〜2.0%、又は10〜40%で成膜し、酸素含有雰囲気にて200°C以上の温度で加熱処理、及び/又は加熱処理後、酸素雰囲気下で冷却することによりITO膜を得る。【効果】200〜3000Ω/□の比較的高抵抗を有し、リニアリティ値±2%以内の均一性に優れたITO膜が得られる。
Claim (excerpt)：
膜中のスズ含有量がインジウムに対して、0.05〜2.0重量%又は10〜40重量%であることを特徴とするスズドープ酸化インジウム膜。
IPC (4)：
C23C 14/08
, C03C 17/245
, C23C 16/40
, H01L 21/28 301
