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J-GLOBAL ID：200903021987004153

液晶表示装置

Inventor： 堀 良彦 ,  田村 文識
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279420
Publication number (International publication number)：1993119345
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】アクティブマトリクス液晶表示装置において、信号配線と走査配線の交差部の耐圧向上と共に製造工程中での静電気に対する耐性の向上をはかる。【構成】ガラス基板10上に、走査配線2,絶縁層9を形成した後、TFT素子半導体層4を形成する。この時同時に信号配線1が形成されるべき位置に沿って連結した交差部半導体層3を形成する。但しこの時、交差部半導体層3とTFT素子半導体層4に電気的接続はない。この後、信号配線1を形成する。【効果】この様な構造とすることにより、信号配線1と走査配線2との配線間の耐圧を向上すると共に、製造工程中の静電気に対する耐性を向上する効果がある。

Claim (excerpt)：

同一基板上で走査配線と信号配線が絶縁層を介して交差し、TFT素子によりスイッチングするアクティブマトリクス液晶表示装置において、走査配線と信号配線の交差部にTFT素子の半導体層と同時期に形成される半導体層を有し、さらに隣接する半導体層が信号配線方向に連結し、かつ連結された半導体層はTFT素子の半導体層とは分離していることを特徴とする液晶表示素置。

IPC (5)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/1343 ,  G09G 3/36 ,  H05F 1/00