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J-GLOBAL ID：200903021998204847

スルホニウム塩及びレジスト材料

Inventor： 渡辺 聡 ,  島田 順次 ,  大澤 洋一 ,  竹村 勝也 ,  石原 俊信 ,  丸山 和政
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995019844
Publication number (International publication number)：1995252214
Application date： Jan. 12, 1995
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【構成】 下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩。【化1】(式中、R1,R2,R3は非置換又は置換芳香族基を示し、R1,R2,R3の少なくとも1つは酸不安定基を有する置換芳香族基及び残りの少なくとも一つは窒素含有芳香族基であるか、又はR1,R2,R3の全てが窒素含有芳香族基である。)また、このスルホニウム塩を含む化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【効果】 本発明のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料として高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。また、T-トップ形状の原因である表面難溶層の問題、即ちPEDの問題を解決する微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料であり、本発明の新規なスルホニウム塩は化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩。【化1】(式中、R1,R2,R3は非置換又は置換芳香族基を示し、R1,R2,R3の少なくとも1つは酸不安定基を有する置換芳香族基及び残りの少なくとも一つは窒素含有芳香族基であるか、又はR1,R2,R3の全てが窒素含有芳香族基である。)

IPC (6)：

C07C381/12 ,  C08K 5/36 KBR ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/08