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J-GLOBAL ID：200903021998437353

半導体基板

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991224176
Publication number (International publication number)：1993062954
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 新しい選択研磨法による薄膜半導体島形成用の、研磨のストッパーを提供すること。【構成】 半導体基板に関し、(1) 選択研磨法による薄膜半導体島の形成に、研磨のストッパーとしてダイアモンド膜を用いる事、および(2) 薄膜半導体島は、シリコン酸化膜によって(1)項のダイアモンド膜と絶縁する事、等である。【効果】 半導体薄膜の研磨精度を±10%以下、±1%程度の精度も可能な、新しい選択研磨法による薄膜半導体島形成用の、研磨のストッパーを提供できる。

Claim (excerpt)：

選択研磨法による薄膜半導体島の形成には、研磨のストッパーとしてダイアモンド膜を用いた事を特徴とした半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784