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J-GLOBAL ID：200903022002416297

面発光半導体レーザ

Inventor： 田所 貴志 ,  川上 剛司
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993132199
Publication number (International publication number)：1994342958
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 100°C以上でボンディングを行っても、反射率増強のための金属膜の効果を十分に利用して、反射鏡の反射率を向上させることができる面発光半導体レーザを提供する。【構成】 ヒートシンクにボンディングする側が、発光層8に近い方から反射鏡、第1の金属膜13、誘電体膜14、第2の金属膜12の順で構成することにより、100°C以上でボンディングを行っても、反射率増強のための第1の金属膜13とボンディング用金属との合金化が生じないため、第1の金属膜13による反射率増強効果を十分利用でき、反射鏡の膜厚を著しく減少させることが可能となる。また、ボンディングを行うことで効果的に放熱を行うことができるため、この素子はボンディングに用いる金属の融点以下であれば安定に動作させることが可能となる。

Claim (excerpt)：

反射率増強のための金属膜を、半導体多層膜あるいは誘電体多層膜からなる反射鏡の上部に接合させ、金属膜側を熱放散のためのヒートシンクにボンディングする面発光半導体レーザにおいて、ヒートシンクにボンディングする側が、発光層に近い方から反射鏡、第1の金属膜、誘電体膜、第2の金属膜の順で構成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。