Pat

J-GLOBAL ID：200903022011868192

堆積膜形成方法

Inventor： 新納 博明 ,  土田 伸史 ,  田澤 大介 ,  秋山 和敬
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001208410
Publication number (International publication number)：2003027238
Application date： Jul. 09, 2001
Publication date： Jan. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大面積の基体上に、硬質かつ緻密であって表面性に優れた非晶質窒化炭素膜を、膜厚、膜質ともに均一に形成する。【解決手段】 減圧可能な反応容器1111内に基体1113を設置し、反応容器1111中に炭素原子を含む原料ガスと窒素原子を含む原料ガスを導入し、10MHz以上250MHz以下の異なる周波数を有する複数の高周波電力を同一電極に供給することによって原料ガスを分解し、反応容器1111内にプラズマを生成し、基体1113上に非晶質窒化炭素膜を形成する。膜形成中に膜の組成を変更する場合には、少なくとも1つの高周波電力の周波数や2つの高周波電力の電力比を変更する。最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周波電力にて、周波数の高い方の第1の高周波電力の周波数に対する周波数の低い方の第2の高周波電力の周波数比を0.1〜0.9とし、第1の高周波電力と第2の高周波電力との和に対する第2の高周波電力の比を0.1〜0.9とする。

Claim (excerpt)：

減圧可能な反応容器内に基体を設置するステップと、該反応容器中に炭素原子を含むガスと窒素原子を含むガスを導入するステップと、周波数の異なる複数の高周波電力を同一電極に供給することによって前記ガスを分解してプラズマを生成するステップと、前記基体上に非晶質窒化炭素膜の堆積膜を形成するステップとを有する堆積膜形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/509 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/509 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205

F-Term (33)：

2H068DA12 ,  2H068DA32 ,  2H068DA62 ,  2H068EA24 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA36 ,  4K030BA38 ,  4K030CA02 ,  4K030CA16 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030KA20 ,  4K030LA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045CA13 ,  5F045DP25 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH19 ,  5F045EK08