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J-GLOBAL ID：200903022023483644

位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク

Inventor： 小久保 晴夫
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 金山 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001037998
Publication number (International publication number)：2002244270
Application date： Feb. 15, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シフター部と非シフター部が互いに隣接し、且つ、シフター部の端部から非シフタ一部の端部までを、シフター部を形成するための掘り込み部(凹部とも言う)の側面部も含め、連続して覆う遮光膜からなる遮光層パタンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造するための、位相シフトマスクの製造方法であって、工程効率化を達成できる製造方法を提供する。【解決手段】 シフター部形成用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレジストを、基板の一面上に、直接あるいは金属膜を介して塗布形成し、フォトリピータで、前記フォトレジストの掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタンを形成するレジストパタン形成工程を有す。

Claim (excerpt)：

シフター部と非シフター部が互いに隣接し、シフター部の端部から非シフタ一部の端部までを、シフター部を形成するための掘り込み部(凹部)の側面部も含めて連続して覆う、露光光に対し遮光性を有する遮光膜からなる遮光膜パタンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造するための、位相シフトマスクの製造方法であって、シフター部形成用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレジストを、基板の一面上に、直接あるいは金属膜を介して塗布形成し、フォトリピータで、前記フォトレジストの掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタンを形成するレジストパタン形成工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 L ,  G03F 7/20 521

F-Term (3)：

2H095BB03 ,  2H095BC08 ,  2H095BC28