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J-GLOBAL ID：200903022041653050

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 奥村 智洋 ,  木村 忠司 ,  三橋 章男 ,  渡辺 彰三
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998039958
Publication number (International publication number)：1999238597
Application date： Feb. 23, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 均一なプラズマを発生させることができ、かつ、処理速度の基板面内均一性の悪化や、固体材料のスパッタリングによる基板への不純物混入の原因となるようなホローカソード放電の発生を抑制できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力を平板状アンテナ5に供給することにより、誘電体窓6を介して電磁波を真空容器1内に放射すると、真空容器1内に均一なプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。

Claim (excerpt)：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の電極に載置された基板に概ね平行な平板状アンテナに周波数50MHz乃至3GHzの高周波電力を供給することにより、真空容器の内壁面のうち基板に対向する面に設けられた誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射することによって、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (7)：

H05H 1/46 L ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B