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J-GLOBAL ID：200903022045954730

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

Inventor： 小林 正彦 ,  梨本 清 ,  高橋 信行
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993244011
Publication number (International publication number)：1995074159
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 2電極方式および2周波印加方式の基板清浄用のプラズマ処理方法等で、2周波の各周波数値および供給電力値に関し所定関係を与えることにより、より簡単な構造で、エッチングレートを高め、セルフバイアス電圧の制御性を向上し、パーティクルを低減する。【構成】 基板2を載置する第1電極3と、第1電極3に対向する第2電極4との間の空間でプラズマ放電を励起してプラズマ6を生成し、このプラズマ中のプラスイオンを基板2の表面に衝突させて基板表面を清浄にする方法であり、さらに、プラズマ放電を励起するための電力として高周波電力と低周波電力を第1電極に対し供給し、低周波電力の電力値を変化させることによりプラスイオンの衝突エネルギを決めるセルフバイアス電圧を制御する。例えば、高周波の周波数は60MHzであり、低周波の周波数は400KHzである。

Claim (excerpt)：

基板を載置する第1電極と、この第1電極に対向する第2電極との間の空間でプラズマ放電を励起してプラズマを生成し、このプラズマ中のプラスイオンを前記基板の表面に衝突させて前記表面を清浄にするプラズマ処理方法において、前記プラズマ放電を励起するための電力として高周波電力と低周波電力を前記第1電極に対し供給し、前記低周波電力の電力値を変化させることにより前記プラスイオンの衝突エネルギを決めるセルフバイアス電圧を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-239627
  
• 特開昭60-160620
  
• 特開昭62-125626
  
• 特開昭53-010384