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J-GLOBAL ID:200903022057381972

半導体放射線検出器及び放射線検出装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 磯野 道造
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004027091
Publication number (International publication number):2005223009
Application date: Feb. 03, 2004
Publication date: Aug. 18, 2005
Summary:
【課題】 エネルギー分解能を向上できる半導体放射線検出器及び放射線検出装置を提供することにある。【解決手段】 半導体放射線検出装置1は、半導体放射線検出器11、及び半導体放射線検出器11から出力された放射線検出信号を処理する信号処理回路13を備える。半導体放射線検出器11は、半導体放射線検出素子10にアノード電極A及びカソード電極Cが対峙するように取付けられている。半導体放射線検出素子10は、3価のタリウム(例えば、臭化第二タリウム)を含む臭化第一タリウムの単結晶によって構成される。このような半導体放射線検出素子10を含む半導体放射線検出器11は、単結晶内の欠陥格子が低減されるため、電荷の収集効率が増大する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
臭化第一タリウムを80.0〜99.9モル%、及び3価のタリウム(臭化第二タリウム換算)を0.1〜20.0モル%、含む臭化タリウムの単結晶と、前記単結晶の一面に取り付けられた第1電極と、前記第1電極との間で前記単結晶を挟み、前記単結晶の他面に取り付けられた第2電極とを備え、前記第1電極及び前記第2電極の一方から放射線検出信号を出力することを特徴とする半導体放射線検出器。
IPC (3):
H01L31/09 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14
FI (3):
H01L31/00 A ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 K
F-Term (20):
2G088EE01 ,  2G088EE21 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF15 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  5F088AB01 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BB07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)

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