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J-GLOBAL ID：200903022069131815

PCMO薄膜の形成方法及びPCMO薄膜

Inventor： ティンカイ・リー ,  ウェイウェイ・ザン ,  デイビッド・アール・エバンス ,  シェン・テン・スー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 政木 良文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005130841
Publication number (International publication number)：2005328044
Application date： Apr. 28, 2005
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：

【課題】 PCMO薄膜の組成、構造、及び、結晶方位のように制御可能な堆積属性に応じた抵抗メモリ特性を有するPCMOを形成するための形成方法を提供する。【解決手段】 所定のメモリ抵抗特性を有するPCMO(PrCaMnO)薄膜の形成方法であって、組成Pr3+1-xCa2+xMnO(0.1<x<0.6)のPCMO薄膜を形成する工程と、組成比xの選択に応じて、Mnイオン及びOイオンの割合を、O2-3±20%、Mn3+(1-x)±20%、Mn4+x±20%に変化させる工程と、を有する。【選択図】 図22

Claim (excerpt)：

所定のメモリ抵抗特性を有するPCMO(PrCaMnO)薄膜の形成方法であって、 組成Pr3+1-xCa2+xMnO(0.1<x<0.6)のPCMO薄膜を形成する工程と、 組成比xの選択に応じて、Mnイオン及びOイオンの割合を、 O2-(3±20%)、 Mn3+((1-x)±20%)、 Mn4+(x±20%) に変化させる工程と、を有することを特徴とするPCMO薄膜の形成方法。

IPC (7)：

H01L45/00 ,  C01F11/02 ,  C01F17/00 ,  C01G45/00 ,  C01G57/00 ,  H01L27/10 ,  H01L43/08

FI (7)：

H01L45/00 A ,  C01F11/02 Z ,  C01F17/00 B ,  C01G45/00 ,  C01G57/00 ,  H01L27/10 451 ,  H01L43/08 M

F-Term (14)：

4G048AA03 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G076AA02 ,  4G076AB02 ,  4G076CA10 ,  4G076DA30 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60