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J-GLOBAL ID：200903022077764479

半導体レーザダイオード

Inventor：
岡本 國美

About 岡本 國美

, 
田中 良宜

About 田中 良宜


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007337218
Publication number (International publication number)：2009158807
Application date： Dec. 27, 2007
Publication date： Jul. 16, 2009
Summary：
【課題】半極性面を主面とする活性層で発生した偏光を、しきい値の上昇を抑制して出力できる半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】半極性面を主面とする窒化物半導体からなる活性層30と、活性層30の主面と平行に配置された第1の反射膜20と、活性層30を挟んで第1の反射膜20と対向して配置された第2の反射膜40とを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半極性面を主面とする窒化物半導体からなる活性層と、 前記主面と平行に配置された第1の反射膜と、 前記活性層を挟んで前記第1の反射膜と対向して配置された第2の反射膜と を備えることを特徴とする半導体レーザダイオード。
IPC (2)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01S5/183 ,  H01S5/343 610
F-Term (15)：
5F173AC03 ,  5F173AC04 ,  5F173AC13 ,  5F173AC14 ,  5F173AC26 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AH22 ,  5F173AP24 ,  5F173AR03 ,  5F173AR43 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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