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J-GLOBAL ID：200903022079616590

半導体受光素子,及び,半導体部品

Inventor： 加藤 昌伸 ,  上田 孝 ,  古川 量三
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002041749
Publication number (International publication number)：2003243693
Application date： Feb. 19, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】 長波長側の光を受光する半導体受光素子において,光フィルタ層で発生するキャリアの消滅を,電圧印加せずに行い,かつノイズの発生を防ぐ。【解決手段】 半導体基板101と,半導体基板101上に形成された光フィルタ層102と,光フィルタ層102上に形成された第1導電型のコンタクト層105と,第1導電型のコンタクト層上に形成された受光層106と,受光層106上に形成された第2導電型のコンタクト層107と,第1導電型のコンタクト層105上に形成された第1導電型の電極108と,第2導電型のコンタクト層107上に形成された第2導電型の電極109と,半導体基板101裏面に形成された反射防止膜110とを含んでおり,光フィルタ層102は,発生したキャリアを発光再結合により消滅させ,かつ発光再結合により発生した短波長側の光の強度を下げることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

2波長を含む入射光のうち長波長側の光のみを受光する半導体受光素子において:半導体基板と,前記半導体基板上に形成された光フィルタ層と,前記光フィルタ層上に形成された第1導電型のコンタクト層と,前記第1導電型のコンタクト層上に形成された,前記長波長側の光より長いバンドギャップ波長を持つ受光層と,前記受光層上に形成された第2導電型のコンタクト層と,前記第1導電型のコンタクト層上に形成された第1導電型の電極と,前記第2導電型のコンタクト層上に形成された第2導電型の電極と,前記半導体基板裏面に形成された反射防止膜と,を含んでおり,前記光フィルタ層は,短波長側の光の吸収により前記光フィルタ層内で発生したキャリアを発光再結合により消滅させて,かつ前記発光再結合により発生した短波長側の光の強度を下げることを特徴とする,半導体受光素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 J

F-Term (19)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118AB08 ,  4M118BA01 ,  4M118CA03 ,  4M118GC02 ,  4M118HA07 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB01 ,  5F049QA20 ,  5F049SS02 ,  5F049SS03 ,  5F049SS04 ,  5F049SS07 ,  5F049SZ07 ,  5F049SZ08 ,  5F049WA01