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J-GLOBAL ID：200903022083866500

シリコン系薄膜の堆積方法

Inventor： 今城 信彦
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993312166
Publication number (International publication number)：1995169695
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】第1の真空室1で発生したアーク放電プラズマを第2の真空室2に導き、プラズマ流5中に原料ガスを間欠的に供給し、薄膜堆積プロセスと化学アニールを交互に繰り返しながら、基板3上にシリコン系薄膜を堆積させる。【効果】大面積の基板上に高品質な薄膜を高速かつ効率的に形成できる。また、薄膜堆積プロセスと化学アニールを同一のプラズマで行うため、全体の成膜プロセス及び装置の簡略化が実現できる。

Claim (excerpt)：

第1の真空室においてアーク放電プラズマを発生させ、第2の真空室に導き、第2の真空室において、該プラズマ中に原料ガスを供給し、原料ガスを励起、分解して基体上にシリコン系薄膜を堆積させる方法であって、前記アーク放電プラズマを連続放電させた状態で、第2の真空室において、該プラズマ中に原料ガスを間欠的に供給しながらシリコン系薄膜を堆積させることを特徴とするシリコン系薄膜の堆積方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04