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J-GLOBAL ID：200903022085961836

歪量子井戸の構造

Inventor： 瀧口 透 ,  後藤 勝彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994209982
Publication number (International publication number)：1996078786
Application date： Sep. 02, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 臨界膜厚をより大きくすることのできる応力補償型歪量子井戸層を備えた半導体装置を得る。【構成】 基板上に交互に積層された、その格子定数が上記基板の格子定数よりも大きい圧縮歪層と、その格子定数が上記基板の格子定数より小さい引張り歪層とからなる応力補償型歪量子井戸層を有するものにおいて、上記応力補償型歪量子井戸層の平均歪量が正の値である構成とした。【効果】 応力補償型歪量子井戸層の平均歪量が0の場合よりも臨界膜厚を大きくでき、歪量子井戸層を構成する層の歪量,層厚,ウエル数の設計の自由度を向上できる。

Claim (excerpt)：

格子定数がas である基板上に交互に積層された、格子定数a1 がas よりも大きく、(a1 -as )/as で求められる歪量ε1 (但し、|ε1 |> 0.001 )の歪みが加わった圧縮歪層と、格子定数a2 がas より小さく、(a2 -as )/as で求められる歪量ε2 (但し、|ε2 |> 0.001)の歪みが加わった引張り歪層とからなる応力補償型歪量子井戸層を有する半導体装置において、上記圧縮歪層の層厚をt1 ,上記引張り歪層の層厚をt2 としたときに、(ε1 ・t1 +ε2 ・t2 )/(t1 +t2 )で求められる上記応力補償型歪量子井戸層の平均歪量εaverage が正の値であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20