Pat
J-GLOBAL ID:200903022122116947

光触媒粉体を用いた酸化・還元方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991313224
Publication number (International publication number):1995124464
Application date: Oct. 31, 1991
Publication date: May. 16, 1995
Summary:
【要約】【構成】 ナイロン、ポリエチレンなどの核粉体表面にTiO2 、CdS、CdSe、GaP、などの半導体粉体が均一にまた凝集の少い状態で固定化して形成された複合化光触媒粉体を排水などの反応相中に分散させながら光を照射する酸化・還元反応方法。【効果】 反応後の液中からの触媒粉体の回収や除去を容易にし、更に、半導体物質の粉体と反応相との接触面積を大きくすることが可能となり、大きな触媒効果を得ることができる。
Claim (excerpt):
反応相中に半導体物質を分散させ、この半導体物質に光を照射することにより半導体物質を光触媒として使用する酸化・還元方法において、前記半導体物質をこの半導体物質よりも粒子径の大きな核粉体の表面に固定化して複合化光触媒とし、反応相中に分散させ、光を照射することを特徴とした複合化光触媒粉体を用いた酸化・還元方法。
IPC (3):
B01J 19/12 ,  B01J 31/38 ,  B01J 35/02

Return to Previous Page