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J-GLOBAL ID：200903022152266889

薄膜形成装置

Inventor： 町田 克之 ,  久良木 億 ,  秋谷 秀夫 ,  今井 和雄
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997226374
Publication number (International publication number)：1998189566
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 大口径の基板に対して高い平坦性をもつ薄膜を容易にかつ低コストで形成する。【解決手段】 本発明にかかる薄膜形成装置は、薄膜形成対象の基板(103)が載置されるとともに前記基板を所定の温度で加熱する加熱機構(106)を備えた試料台(102)と、前記試料台上方に対向配置され、表面に薄膜が形成されたシートフィルムが装着される転写板(105)と、前記試料台または前記転写板の少なくとも一方を移動させ、前記試料台を前記転写板に所定の時間押しつける加重機構(109)と、前記試料台および前記転写板を内部に配置する薄膜形成室(101)と、前記薄膜形成室内を真空排気する排気手段とを備え、前記シートフィルム表面に形成した薄膜を基板に転写するものである。

Claim (excerpt)：

薄膜形成対象の基板が載置されるとともに前記基板を所定の温度で加熱する加熱機構を備えた試料台と、前記試料台上方に対向配置され、前記基板に形成する薄膜が表面に形成されたシートフィルムが装着される転写板と、前記試料台または前記転写板の少なくとも一方を移動させ、前記基板と前記シートフィルム表面に形成された薄膜とが互いに当接した状態で前記試料台を前記転写板に所定の時間押しつける加重機構と、前記試料台および前記転写板を内部に配置する薄膜形成室と、前記薄膜形成室内を真空排気する排気手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/31 Z ,  H01L 21/316 Z ,  H01L 21/90 P