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J-GLOBAL ID：200903022167342905

シリコン積層体

Inventor： 河野 尚毅
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993300467
Publication number (International publication number)：1995153697
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電気的特性が良好でしかも太陽電池や光センサ等にそのまま適用可能なシリコン積層体を提供すること。【構成】 このシリコン積層体10は、Moから成る耐熱性金属基材11と、この表面に形成されたNiから成る導電性下地膜12と、この表面に順次形成されたSiC膜13及びSiCx 膜14(0<x<1)と、このSiCx 膜14上に製膜された多結晶シリコン膜15とで構成されている。このシリコン積層体10によれば、化学量論化合物であるSiC膜13の作用により耐熱性金属基材11又は導電性下地膜12からの多結晶シリコン膜15内への金属成分の拡散が防止され、かつSiCx 膜14の作用によりこの膜上に多結晶シリコン膜15をエピタキシャル的に成長させることが可能になるため、電気的特性が良好でしかも太陽電池や光センサ等にそのまま適用可能なシリコン積層体を提供できる。

Claim (excerpt)：

耐熱性金属基材と、この金属基材の表面に形成されカーボン、金属、ZrB<SB>2</SB>若しくはTiB<SB>2 </SB>の導電性セラミックス、シリコン、シリサイド、及び、サーメットから選択された導電性材料より成る導電性下地膜と、この導電性下地膜上に製膜された多結晶シリコン膜とで構成されるシリコン積層体において、上記導電性下地膜と多結晶シリコン膜との間に導電性下地膜側から順にSiC膜とSiCx (但し、0<x<1)膜が介在していることを特徴とするシリコン積層体。

IPC (8)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 ,  H01L 37/04