半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994280364
Publication number (International publication number)：1996070044
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】化学的機械研磨法を使っても簡便な、メタルプラグを用いた多層配線の形成法を提供すること。【構成】半導体基板101上に形成された第1の絶縁膜102上に形成された第1の配線層103の上にメタルプラグ106を形成し、該メタルプラグ106を全てまたは一部覆う形で第2の絶縁膜104を形成し、該メタルプラグ106の上部に堆積してある絶縁膜104,104aを除去する化学的機械研磨を行う工程を少なくとも含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜上に形成された第1の配線層の上にメタルプラグを形成し、該メタルプラグを覆う形で第2の絶縁膜を形成し、該メタルプラグの上部が露出するまで化学的機械研磨を行う工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の多層配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-080499 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平4-309249
特開昭61-258453

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